IRL3502PBF | IR (Infineon Technologies) IRL3502PBF | IRL3502PBF Inventory, Best Pricing

IRL3502PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRL3502PBF
LIXINC Part #	IRL3502PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRL3502PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRL3502PBF Specyfikacje

Numer części:	IRL3502PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	110A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 7V
rds na (maks.) @ id, vgs:	7mOhm @ 64A, 7V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	110 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4700 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	140W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3