2SK3309(TE24L,Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SK3309(TE24L,Q)
LIXINC Part #	2SK3309(TE24L,Q)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SK3309(TE24L,Q) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SK3309(TE24L,Q) Specyfikacje

Numer części:	2SK3309(TE24L,Q)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	450 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	650mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	920 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	65W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220SM
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63