TK60P03M1,RQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part #	TK60P03M1,RQ(S
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK60P03M1,RQ(S Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK60P03M1,RQ(S Specyfikacje

Numer części:	TK60P03M1,RQ(S
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVI-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Last Time Buy
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	60A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 500µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2700 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	63W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63