NTMFS4H01NFT1G | Rochester Electronics NTMFS4H01NFT1G | NTMFS4H01NFT1G Inventory, Best Pricing

NTMFS4H01NFT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTMFS4H01NFT1G
LIXINC Part #	NTMFS4H01NFT1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTMFS4H01NFT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTMFS4H01NFT1G Specyfikacje

Numer części:	NTMFS4H01NFT1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	54A (Ta), 334A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	0.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	82 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.538 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.2W (Ta), 125W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN