IRFB59N10DPBF | Rochester Electronics IRFB59N10DPBF | IRFB59N10DPBF Inventory, Best Pricing

IRFB59N10DPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFB59N10DPBF
LIXINC Part #	IRFB59N10DPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SMPS HEXFET POWER MOSFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFB59N10DPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFB59N10DPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFB59N10DPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	59A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	114 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3