CSD25202W15T | Texas Instruments CSD25202W15T | CSD25202W15T Inventory, Best Pricing

CSD25202W15T

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD25202W15T
LIXINC Part #	CSD25202W15T
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD25202W15T Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 05 - Jul 09 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD25202W15T Specyfikacje

Numer części:	CSD25202W15T
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	26mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.05V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	-6V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1010 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	9-DSBGA
opakowanie / etui:	9-UFBGA, DSBGA