NTHD2110TT1G | Rochester Electronics NTHD2110TT1G | NTHD2110TT1G Inventory, Best Pricing

NTHD2110TT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTHD2110TT1G
LIXINC Part #	NTHD2110TT1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTHD2110TT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTHD2110TT1G Specyfikacje

Numer części:	NTHD2110TT1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	40mOhm @ 6.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	850mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.072 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.1W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	ChipFET™
opakowanie / etui:	8-SMD, Flat Lead