FDMS86200 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS86200

FDMS86200

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDMS86200
LIXINC Part #	FDMS86200
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDMS86200 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDMS86200 Specyfikacje

Numer części:	FDMS86200
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	150 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.6A (Ta), 35A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	18mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2715 pF @ 75 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 104W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN