BSO130P03SHXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO130P03SHXUMA1 | BSO130P03SHXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO130P03SHXUMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSO130P03SHXUMA1
LIXINC Part #	BSO130P03SHXUMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSO130P03SHXUMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSO130P03SHXUMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSO130P03SHXUMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	13mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 140µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3520 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.56W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	P-DSO-8
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)