SSM6J412TU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J412TU,LF

SSM6J412TU,LF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM6J412TU,LF
LIXINC Part #	SSM6J412TU,LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM6J412TU,LF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM6J412TU,LF Specyfikacje

Numer części:	SSM6J412TU,LF
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVI
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	42.7mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12.8 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	840 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Ta)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	UF6
opakowanie / etui:	6-SMD, Flat Leads