STU150N3LLH6 | STMicroelectronics STU150N3LLH6 | STU150N3LLH6 Inventory, Best Pricing

STU150N3LLH6

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STU150N3LLH6
LIXINC Part #	STU150N3LLH6
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STU150N3LLH6 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STU150N3LLH6 Specyfikacje

Numer części:	STU150N3LLH6
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	DeepGATE™, STripFET™ VI
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	80A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	40 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4040 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	110W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA