RSM002N06T2L | ROHM Semiconductor RSM002N06T2L | RSM002N06T2L Inventory, Best Pricing

RSM002N06T2L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RSM002N06T2L
LIXINC Part #	RSM002N06T2L
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RSM002N06T2L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RSM002N06T2L Specyfikacje

Numer części:	RSM002N06T2L
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	250mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	15 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	150mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	VMT3
opakowanie / etui:	SOT-723