NVMFS6B14NWFT1G | Rochester Electronics NVMFS6B14NWFT1G | NVMFS6B14NWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS6B14NWFT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVMFS6B14NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6B14NWFT1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 5DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVMFS6B14NWFT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVMFS6B14NWFT1G Specyfikacje

Numer części:	NVMFS6B14NWFT1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	-
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.3 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 94W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN