DN2535N3-G-P003 | Roving Networks / Microchip Technology DN2535N3-G-P003

DN2535N3-G-P003

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DN2535N3-G-P003
LIXINC Part #	DN2535N3-G-P003
Producent	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DN2535N3-G-P003 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DN2535N3-G-P003 Specyfikacje

Numer części:	DN2535N3-G-P003
Marka:	Roving Networks / Microchip Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Roving Networks / Microchip Technology
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	350 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120mA (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	0V
rds na (maks.) @ id, vgs:	25Ohm @ 120mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	300 pF @ 25 V
funkcja fet:	Depletion Mode
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92 (TO-226)
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)