STL18N55M5 | STMicroelectronics STL18N55M5 | STL18N55M5 Inventory, Best Pricing

STL18N55M5

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STL18N55M5
LIXINC Part #	STL18N55M5
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STL18N55M5 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STL18N55M5 Specyfikacje

Numer części:	STL18N55M5
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	MDmesh™ V
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	550 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.4A (Ta), 13A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	270mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1352 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta), 90W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerFlat™ (8x8) HV
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN