SCT10N120AG | STMicroelectronics SCT10N120AG | SCT10N120AG Inventory, Best Pricing

SCT10N120AG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SCT10N120AG
LIXINC Part #	SCT10N120AG
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SCT10N120AG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SCT10N120AG Specyfikacje

Numer części:	SCT10N120AG
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	20V
rds na (maks.) @ id, vgs:	690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22 nC @ 20 V
vgs (maks.):	+25V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	290 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	150W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	HiP247™
opakowanie / etui:	TO-247-3