BUK6D120-60PX | Nexperia BUK6D120-60PX | BUK6D120-60PX Inventory, Best Pricing

BUK6D120-60PX

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BUK6D120-60PX
LIXINC Part #	BUK6D120-60PX
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BUK6D120-60PX Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BUK6D120-60PX Specyfikacje

Numer części:	BUK6D120-60PX
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A (Ta), 8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	724 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.3W (Ta), 15W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DFN2020MD-6
opakowanie / etui:	6-UDFN Exposed Pad