AOTF11S60L | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOTF11S60L

AOTF11S60L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AOTF11S60L
LIXINC Part #	AOTF11S60L
Producent	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AOTF11S60L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AOTF11S60L Specyfikacje

Numer części:	AOTF11S60L
Marka:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
seria:	aMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	545 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	38W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3F
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack