IPB80N06S405ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S405ATMA2 | IPB80N06S405ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S405ATMA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPB80N06S405ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S405ATMA2
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPB80N06S405ATMA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPB80N06S405ATMA2 Specyfikacje

Numer części:	IPB80N06S405ATMA2
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	80A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 60µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	6500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	107W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-3-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTTFS4C05NTAG	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN	863 Więcej na zamówienie
IAUT200N08S5N023ATMA1	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF	2425 Więcej na zamówienie
PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	865 Więcej na zamówienie
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120818 Więcej na zamówienie
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	945 Więcej na zamówienie
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3550 Więcej na zamówienie
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18748 Więcej na zamówienie
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	927 Więcej na zamówienie
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7362 Więcej na zamówienie
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1745 Więcej na zamówienie
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1208 Więcej na zamówienie
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108780 Więcej na zamówienie
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4832 Więcej na zamówienie