SQ3425EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix SQ3425EV-T1_BE3 | SQ3425EV-T1

SQ3425EV-T1_BE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SQ3425EV-T1_BE3
LIXINC Part #	SQ3425EV-T1_BE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SQ3425EV-T1_BE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SQ3425EV-T1_BE3 Specyfikacje

Numer części:	SQ3425EV-T1_BE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7.4A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10.3 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	840 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23-3 (TO-236)
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDB047N10	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK	2976 Więcej na zamówienie
FQI27N25TU-F085	25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL	4933 Więcej na zamówienie
NTMFS5C460NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	866 Więcej na zamówienie
2N7002P,235	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB	261936 Więcej na zamówienie
RQ6E045BNTCR	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT	2878 Więcej na zamówienie
NTE2930	MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML	1221 Więcej na zamówienie
NVMFS5C410NLT3G	MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN	891 Więcej na zamówienie
FQA32N20C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	36142 Więcej na zamówienie
AOTF190A60CL	MOSFET N-CH 600V 20A TO220F	1700 Więcej na zamówienie
R5011ANJTL	MOSFET N-CH 500V 11A LPTS	814 Więcej na zamówienie
NTMFS4C08NT1G-001	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN	3965 Więcej na zamówienie
NVMFS4C05NWFT1G	MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN	60905 Więcej na zamówienie
SQJ460AEP-T2_GE3	MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8	952 Więcej na zamówienie