FQPF4N80 | Rochester Electronics FQPF4N80 | FQPF4N80 Inventory, Best Pricing

FQPF4N80

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FQPF4N80
LIXINC Part #	FQPF4N80
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FQPF4N80 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FQPF4N80 Specyfikacje

Numer części:	FQPF4N80
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	QFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	800 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.6Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	880 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	43W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220F
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack