IAUS300N08S5N012ATMA1 | Rochester Electronics IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08S5N012ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUS300N08S5N012ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IAUS300N08S5N012ATMA1
LIXINC Part #	IAUS300N08S5N012ATMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IAUS300N08S5N012ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IAUS300N08S5N012ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IAUS300N08S5N012ATMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	300A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 275µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	231 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	16.25 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	375W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-HSOG-8-1
opakowanie / etui:	8-PowerSMD, Gull Wing