IRF8113PBF | Rochester Electronics IRF8113PBF | IRF8113PBF Inventory, Best Pricing

IRF8113PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF8113PBF
LIXINC Part #	IRF8113PBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	HEXFET POWER MOSFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF8113PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF8113PBF Specyfikacje

Numer części:	IRF8113PBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	17.2A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	36 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2.91 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)