SIB422EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIB422EDK-T1-GE3 | SIB422EDK-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIB422EDK-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SIB422EDK-T1-GE3
LIXINC Part #	SIB422EDK-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SIB422EDK-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SIB422EDK-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SIB422EDK-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18 nC @ 8 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 13W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® SC-75-6L Single
opakowanie / etui:	PowerPAK® SC-75-6L

NTGD4169FT1G	MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP	186861 Więcej na zamówienie
PMPB12UNEAX	MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6	826 Więcej na zamówienie
FQA7N90	MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P	2188 Więcej na zamówienie
IRF720STRRPBF	MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK	942 Więcej na zamówienie
STD7N60M2	MOSFET N-CH 600V 5A DPAK	5911 Więcej na zamówienie
PMPB15XN,115	MOSFET N-CH 20V 7.3A DFN2020MD-6	836 Więcej na zamówienie
FQI2N80TU	MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK	1530 Więcej na zamówienie
PHB66NQ03LT	NOW NEXPERIA 66A, 25V, 0.0136OHM	900 Więcej na zamówienie
IXFT150N25X3HV	MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV	1626 Więcej na zamówienie
FQPF5N80	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F	1460 Więcej na zamówienie
SI7430DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8	6602 Więcej na zamówienie
RM60N100DF	MOSFET N-CHANNEL 100V 60A 8DFN	811 Więcej na zamówienie
PMR780SN115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	3856 Więcej na zamówienie