AUIRL7766M2TR | Rochester Electronics AUIRL7766M2TR | AUIRL7766M2TR Inventory, Best Pricing

AUIRL7766M2TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AUIRL7766M2TR
LIXINC Part #	AUIRL7766M2TR
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AUIRL7766M2TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AUIRL7766M2TR Specyfikacje

Numer części:	AUIRL7766M2TR
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	10mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 150µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	66 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.305 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DIRECTFET™ M4
opakowanie / etui:	DirectFET™ Isometric M4