IXFN82N60Q3 | Wickmann / Littelfuse IXFN82N60Q3 | IXFN82N60Q3 Inventory, Best Pricing

IXFN82N60Q3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXFN82N60Q3
LIXINC Part #	IXFN82N60Q3
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXFN82N60Q3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXFN82N60Q3 Specyfikacje

Numer części:	IXFN82N60Q3
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	HiPerFET™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	66A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	6.5V @ 8mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	275 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	13500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	960W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-227B
opakowanie / etui:	SOT-227-4, miniBLOC