BSC079N10NSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC079N10NSGATMA1 | BSC079N10NSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC079N10NSGATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC079N10NSGATMA1
LIXINC Part #	BSC079N10NSGATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC079N10NSGATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC079N10NSGATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC079N10NSGATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	13.4A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 110µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	87 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5900 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	156W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-1
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN