SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5N15FE(TE85L,F) | SSM5N15FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM5N15FE(TE85L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM5N15FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM5N15FE(TE85L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM5N15FE(TE85L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM5N15FE(TE85L,F) Specyfikacje

Numer części:	SSM5N15FE(TE85L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	π-MOSVI
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7.8 pF @ 3 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	150mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	ESV
opakowanie / etui:	SOT-553