NVMFSW6D1N08HT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVMFSW6D1N08HT1G
LIXINC Part #	NVMFSW6D1N08HT1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVMFSW6D1N08HT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVMFSW6D1N08HT1G Specyfikacje

Numer części:	NVMFSW6D1N08HT1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	17A (Ta), 89A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 120µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2085 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 104W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN, 5 Leads