PHD101NQ03LT,118 | Rochester Electronics PHD101NQ03LT,118 | PHD101NQ03LT,118 Inventory, Best Pricing

PHD101NQ03LT,118

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHD101NQ03LT,118
LIXINC Part #	PHD101NQ03LT,118
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHD101NQ03LT,118 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHD101NQ03LT,118 Specyfikacje

Numer części:	PHD101NQ03LT,118
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	75A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2.18 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	166W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63