RUR040N02HZGTL | ROHM Semiconductor RUR040N02HZGTL | RUR040N02HZGTL Inventory, Best Pricing

RUR040N02HZGTL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RUR040N02HZGTL
LIXINC Part #	RUR040N02HZGTL
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RUR040N02HZGTL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RUR040N02HZGTL Specyfikacje

Numer części:	RUR040N02HZGTL
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	680 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSMT3
opakowanie / etui:	SC-96