FDP2D3N10C | Rochester Electronics FDP2D3N10C | FDP2D3N10C Inventory, Best Pricing

FDP2D3N10C

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDP2D3N10C
LIXINC Part #	FDP2D3N10C
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDP2D3N10C Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDP2D3N10C Specyfikacje

Numer części:	FDP2D3N10C
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	222A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 700µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	11.18 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	214W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3