IRFR5410TRRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFR5410TRRPBF | IRFR5410TRRPBF Inventory, Best Pricing

IRFR5410TRRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFR5410TRRPBF
LIXINC Part #	IRFR5410TRRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFR5410TRRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFR5410TRRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFR5410TRRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	13A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	205mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	760 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	66W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D-Pak
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63