RJ1U330AAFRGTL | ROHM Semiconductor RJ1U330AAFRGTL | RJ1U330AAFRGTL Inventory, Best Pricing

RJ1U330AAFRGTL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RJ1U330AAFRGTL
LIXINC Part #	RJ1U330AAFRGTL
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RJ1U330AAFRGTL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 14 - Aug 18 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RJ1U330AAFRGTL Specyfikacje

Numer części:	RJ1U330AAFRGTL
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	250 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	33A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	105mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	211W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	LPTS
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB