SUD50P10-43L-BE3 | Vishay / Siliconix SUD50P10-43L-BE3 | SUD50P10-43L-BE3 Inventory, Best Pricing

SUD50P10-43L-BE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SUD50P10-43L-BE3
LIXINC Part #	SUD50P10-43L-BE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SUD50P10-43L-BE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SUD50P10-43L-BE3 Specyfikacje

Numer części:	SUD50P10-43L-BE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	43mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4600 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	8.3W (Ta), 136W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D-PAK (TO-252AA)
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63