BSZ100N03MSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ100N03MSGATMA1 | BSZ100N03MSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ100N03MSGATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSZ100N03MSGATMA1
LIXINC Part #	BSZ100N03MSGATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSZ100N03MSGATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSZ100N03MSGATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSZ100N03MSGATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta), 40A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1700 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.1W (Ta), 30W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TSDSON-8
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

TSM60N750CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252	972 Więcej na zamówienie
SIA462DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6	1008 Więcej na zamówienie
SISH101DN-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK	8324 Więcej na zamówienie
DMP2004TK-7	MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523	1101 Więcej na zamówienie
IRFR13N15DTRPBF	MOSFET N-CH 150V 14A DPAK	906 Więcej na zamówienie
MTW24N40E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4257 Więcej na zamówienie
BSC022N04LSATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6	28006 Więcej na zamówienie
SPA15N60CFDXKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1323 Więcej na zamówienie
RU1C001UNTCL	MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F	3085 Więcej na zamówienie
DMT6016LSS-13	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO	983 Więcej na zamówienie
FDD6670AS	MOSFET N-CH 30V 76A TO252	1329 Więcej na zamówienie
IRLL024ZPBF	MOSFET N-CH 55V 5A SOT223	953 Więcej na zamówienie
IRFZ44RPBF-BE3	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	1853 Więcej na zamówienie