2N7000-D26Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2N7000-D26Z

2N7000-D26Z

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2N7000-D26Z
LIXINC Part #	2N7000-D26Z
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2N7000-D26Z Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2N7000-D26Z Specyfikacje

Numer części:	2N7000-D26Z
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	200mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	50 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	400mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)