IPA65R650CEXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA65R650CEXKSA1 | IPA65R650CEXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA65R650CEXKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPA65R650CEXKSA1
LIXINC Part #	IPA65R650CEXKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPA65R650CEXKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPA65R650CEXKSA1 Specyfikacje

Numer części:	IPA65R650CEXKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™ CE
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 210µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	440 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	28W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220 Full Pack
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack

2SK2701A	MOSFET N-CH 450V 7A TO220F	886 Więcej na zamówienie
TK18A50D(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS	863 Więcej na zamówienie
FDB9409L-F085	MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK	960 Więcej na zamówienie
RQ3E130BNTB	MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT	1191 Więcej na zamówienie
DMPH6250S-13	MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23	802 Więcej na zamówienie
2N6759	N-CHANNEL POWER MOSFET	879 Więcej na zamówienie
NTTFS4C50NTWG	MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN	15804 Więcej na zamówienie
SIS444DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8	906 Więcej na zamówienie
IRFD310	0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL	4286 Więcej na zamówienie
IRFH8316TRPBF	MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0	4925 Więcej na zamówienie
DMN3053L-13	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	850 Więcej na zamówienie
PSMN025-100D,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4	814 Więcej na zamówienie
SUM40012EL-GE3	MOSFET N-CH 40V 150A TO263	1708 Więcej na zamówienie