NDBA170N06AT4H | Rochester Electronics NDBA170N06AT4H | NDBA170N06AT4H Inventory, Best Pricing

NDBA170N06AT4H

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NDBA170N06AT4H
LIXINC Part #	NDBA170N06AT4H
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 170A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NDBA170N06AT4H Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NDBA170N06AT4H Specyfikacje

Numer części:	NDBA170N06AT4H
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	170A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	280 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	15.8 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	90W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D²PAK (TO-263)
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB