BSZ021N04LS6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ021N04LS6ATMA1 | BSZ021N04LS6ATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ021N04LS6ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSZ021N04LS6ATMA1
LIXINC Part #	BSZ021N04LS6ATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSZ021N04LS6ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSZ021N04LS6ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSZ021N04LS6ATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™ 6
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	25A (Ta), 40A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2700 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TSDSON-8-FL
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

STP33N60DM2	MOSFET N-CH 600V 24A TO220	1115 Więcej na zamówienie
MCP07N65-BP	MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB	5459 Więcej na zamówienie
IPZ40N04S53R1ATMA1	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON	2754 Więcej na zamówienie
SIHA5N80AE-GE3	E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD	902 Więcej na zamówienie
2SK1317-E	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P	813 Więcej na zamówienie
IPBE65R099CFD7AATMA1	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7	836 Więcej na zamówienie
SQS840CENW-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W	3807 Więcej na zamówienie
YJD80G06A-F1-0000	N-CH MOSFET 60V 80A TO-252	892 Więcej na zamówienie
IPP034NE7N3G	IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P	2441 Więcej na zamówienie
BUK7Y19-100EX	MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8	931 Więcej na zamówienie
NTMFS4708NT3G	MOSFET N-CH 30V 7.8A 5DFN	5937 Więcej na zamówienie
FDS6064N3	MOSFET N-CH 20V 23A 8SO	32048 Więcej na zamówienie
NX3020NAK,215	MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB	34637 Więcej na zamówienie