IPD70N12S311ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD70N12S311ATMA1 | IPD70N12S311ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD70N12S311ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD70N12S311ATMA1
LIXINC Part #	IPD70N12S311ATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD70N12S311ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD70N12S311ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPD70N12S311ATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	120 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	70A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	11.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 83µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4355 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3-11
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63