PSMN4R8-100PSEQ | Nexperia PSMN4R8-100PSEQ | PSMN4R8-100PSEQ Inventory, Best Pricing

PSMN4R8-100PSEQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PSMN4R8-100PSEQ
LIXINC Part #	PSMN4R8-100PSEQ
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PSMN4R8-100PSEQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PSMN4R8-100PSEQ Specyfikacje

Numer części:	PSMN4R8-100PSEQ
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	278 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	14400 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	405W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3