SCT20N120H | STMicroelectronics SCT20N120H | SCT20N120H Inventory, Best Pricing

SCT20N120H

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SCT20N120H
LIXINC Part #	SCT20N120H
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SCT20N120H Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SCT20N120H Specyfikacje

Numer części:	SCT20N120H
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	20A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	20V
rds na (maks.) @ id, vgs:	290mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	45 nC @ 20 V
vgs (maks.):	+25V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	650 pF @ 400 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	175W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	H2Pak-2
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB