IXTH10N100D2 | Wickmann / Littelfuse IXTH10N100D2 | IXTH10N100D2 Inventory, Best Pricing

IXTH10N100D2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXTH10N100D2
LIXINC Part #	IXTH10N100D2
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXTH10N100D2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXTH10N100D2 Specyfikacje

Numer części:	IXTH10N100D2
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1000 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	200 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5320 pF @ 25 V
funkcja fet:	Depletion Mode
rozpraszanie mocy (maks.):	695W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247
opakowanie / etui:	TO-247-3