NVTFS6H860NWFTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS6H860NWFTAG

NVTFS6H860NWFTAG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVTFS6H860NWFTAG
LIXINC Part #	NVTFS6H860NWFTAG
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVTFS6H860NWFTAG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVTFS6H860NWFTAG Specyfikacje

Numer części:	NVTFS6H860NWFTAG
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	8A (Ta), 30A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	21.1mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 30µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.7 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	510 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.1W (Ta), 46W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-WDFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN