IRF6714MTRPBF | Rochester Electronics IRF6714MTRPBF | IRF6714MTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6714MTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF6714MTRPBF
LIXINC Part #	IRF6714MTRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF6714MTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF6714MTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRF6714MTRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	29A (Ta), 166A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	44 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3.89 pF @ 13 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DIRECTFET™ MX
opakowanie / etui:	DirectFET™ Isometric MX