RQ1A070ZPTR | ROHM Semiconductor RQ1A070ZPTR | RQ1A070ZPTR Inventory, Best Pricing

RQ1A070ZPTR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RQ1A070ZPTR
LIXINC Part #	RQ1A070ZPTR
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RQ1A070ZPTR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RQ1A070ZPTR Specyfikacje

Numer części:	RQ1A070ZPTR
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	12 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	58 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7400 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSMT8
opakowanie / etui:	8-SMD, Flat Lead