SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay / Siliconix SUD19N20-90-T4-E3 | SUD19N20-90-T4-E3 Inventory, Best Pricing

SUD19N20-90-T4-E3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SUD19N20-90-T4-E3
LIXINC Part #	SUD19N20-90-T4-E3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SUD19N20-90-T4-E3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SUD19N20-90-T4-E3 Specyfikacje

Numer części:	SUD19N20-90-T4-E3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	19A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	51 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1800 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta), 136W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252, (D-Pak)
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63