ISP25DP06LMXTSA1 | Rochester Electronics ISP25DP06LMXTSA1 | ISP25DP06LMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISP25DP06LMXTSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ISP25DP06LMXTSA1
LIXINC Part #	ISP25DP06LMXTSA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ISP25DP06LMXTSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ISP25DP06LMXTSA1 Specyfikacje

Numer części:	ISP25DP06LMXTSA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.9A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 270µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	13.9 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	420 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta), 5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT223-4
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA