IRLL110TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix IRLL110TRPBF-BE3 | IRLL110TRPBF-BE3 Inventory, Best Pricing

IRLL110TRPBF-BE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRLL110TRPBF-BE3
LIXINC Part #	IRLL110TRPBF-BE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRLL110TRPBF-BE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRLL110TRPBF-BE3 Specyfikacje

Numer części:	IRLL110TRPBF-BE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	540mOhm @ 900mA, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.1 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	250 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2W (Ta), 3.1W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA